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詳細(xì)介紹
PL7022/B 是一款基于 CMOS 的雙節(jié)可充電鋰電池保護(hù)電路,，它集高精度過(guò)電壓充電保護(hù)、過(guò)電壓放電保
護(hù),、過(guò)電流充電保護(hù),、過(guò)電流放電保護(hù)、電池短路保護(hù)等性能于一身,。
正常狀態(tài)下,， PL7022/B 由電池供電。當(dāng)兩節(jié)電池電壓（VBATU/VBATD)都在過(guò)電壓充電保護(hù)閾值（VOCU/D）和
過(guò)電壓放電保護(hù)閾值（VODU/D）之間,，且其 VM 檢測(cè)端電壓在過(guò)電流充電保護(hù)閾值（VECI）和過(guò)電流放電保護(hù)閾值
（VEDI）之間,，此時(shí) PL7022/B 的 COUT 端和 DOUT 端都輸出高電平，分別使外接充電控制 N-MOSFET 管 Q1 和
放電控制 N-MOSFET 管 Q2 導(dǎo)通,。這時(shí),，既可以使用充電器對(duì)電池充電,，也可以通過(guò)負(fù)載使電池放電。
PL7022/B 通過(guò)檢測(cè)兩個(gè)電池電壓來(lái)進(jìn)行過(guò)充/放電保護(hù),。當(dāng)充/放電保護(hù)條件發(fā)生時(shí),， COUT/DOUT 由高電平變
為低電平，使 Q1/Q2 由導(dǎo)通變?yōu)榻刂?，從而?放電過(guò)程停止。 PL7022/B 對(duì)每種保護(hù)狀態(tài)都有相應(yīng)的恢復(fù)條件,，
當(dāng)恢復(fù)條件滿(mǎn)足以后,， COUT/DOUT 由低電平變?yōu)楦唠娖剑?使 Q1/Q2 由截止變?yōu)閷?dǎo)通，從而進(jìn)入正常狀態(tài),。
PL7022/B 對(duì)每種保護(hù)/恢復(fù)條件都設(shè)置了一定的延遲時(shí)間,，只有在保護(hù)/恢復(fù)條件持續(xù)到相應(yīng)的時(shí)間以后，
才進(jìn)行相應(yīng)的保護(hù)/恢復(fù),。如果保護(hù)/恢復(fù)條件在相應(yīng)的延遲時(shí)間以前消除,，則不進(jìn)入保護(hù)/恢復(fù)狀態(tài)。
當(dāng) VM 小于-5V,， VDD 從 0V 升高至正常值時(shí),，芯片將進(jìn)入快速檢測(cè)模式，縮短延遲時(shí)間,，并禁止過(guò)電流充電保護(hù)
功能,。過(guò)電壓充電檢測(cè)和過(guò)電壓放電檢測(cè)延遲時(shí)間會(huì)縮短到將近 1ms，這能有效地縮短保護(hù)電路 PCB 的檢測(cè)時(shí)間,。
當(dāng) VM 升高至 0V 以上時(shí),，芯片將退出快速檢測(cè)模式。
特點(diǎn)：
? 兩節(jié)鋰離子或鋰聚合物電池的理想保護(hù)電路
? 高精度的保護(hù)電壓（過(guò)充/過(guò)放）檢測(cè)
? 高精度過(guò)電流充電/放電保護(hù)檢測(cè)
? 低供電電流
? 在低功耗模式,，不接充電器情況下,，可自動(dòng)恢復(fù)狀態(tài)
? 電池短路保護(hù)
? 可選擇多種型號(hào)的檢測(cè)電壓和延遲時(shí)間
? 縮短延遲時(shí)間測(cè)試功能
? 0V 電池充電功能
? 極少的外圍元器件
? 超小型化的 SOT23-6 封裝
應(yīng)用：
? 兩節(jié)鋰電池的充電、放電保護(hù)電路
? 電話(huà)機(jī)電池或其它兩節(jié)鋰電池高精度保護(hù)
護(hù),、過(guò)電流充電保護(hù),、過(guò)電流放電保護(hù)、電池短路保護(hù)等性能于一身,。
正常狀態(tài)下,， PL7022/B 由電池供電。當(dāng)兩節(jié)電池電壓（VBATU/VBATD)都在過(guò)電壓充電保護(hù)閾值（VOCU/D）和
過(guò)電壓放電保護(hù)閾值（VODU/D）之間,，且其 VM 檢測(cè)端電壓在過(guò)電流充電保護(hù)閾值（VECI）和過(guò)電流放電保護(hù)閾值
（VEDI）之間,，此時(shí) PL7022/B 的 COUT 端和 DOUT 端都輸出高電平，分別使外接充電控制 N-MOSFET 管 Q1 和
放電控制 N-MOSFET 管 Q2 導(dǎo)通,。這時(shí),，既可以使用充電器對(duì)電池充電,，也可以通過(guò)負(fù)載使電池放電。
PL7022/B 通過(guò)檢測(cè)兩個(gè)電池電壓來(lái)進(jìn)行過(guò)充/放電保護(hù),。當(dāng)充/放電保護(hù)條件發(fā)生時(shí),， COUT/DOUT 由高電平變
為低電平，使 Q1/Q2 由導(dǎo)通變?yōu)榻刂?，從而?放電過(guò)程停止。 PL7022/B 對(duì)每種保護(hù)狀態(tài)都有相應(yīng)的恢復(fù)條件,，
當(dāng)恢復(fù)條件滿(mǎn)足以后,， COUT/DOUT 由低電平變?yōu)楦唠娖剑?使 Q1/Q2 由截止變?yōu)閷?dǎo)通，從而進(jìn)入正常狀態(tài),。
PL7022/B 對(duì)每種保護(hù)/恢復(fù)條件都設(shè)置了一定的延遲時(shí)間,，只有在保護(hù)/恢復(fù)條件持續(xù)到相應(yīng)的時(shí)間以后，
才進(jìn)行相應(yīng)的保護(hù)/恢復(fù),。如果保護(hù)/恢復(fù)條件在相應(yīng)的延遲時(shí)間以前消除,，則不進(jìn)入保護(hù)/恢復(fù)狀態(tài)。
當(dāng) VM 小于-5V,， VDD 從 0V 升高至正常值時(shí),，芯片將進(jìn)入快速檢測(cè)模式，縮短延遲時(shí)間,，并禁止過(guò)電流充電保護(hù)
功能,。過(guò)電壓充電檢測(cè)和過(guò)電壓放電檢測(cè)延遲時(shí)間會(huì)縮短到將近 1ms，這能有效地縮短保護(hù)電路 PCB 的檢測(cè)時(shí)間,。
當(dāng) VM 升高至 0V 以上時(shí),，芯片將退出快速檢測(cè)模式。
特點(diǎn)：
? 兩節(jié)鋰離子或鋰聚合物電池的理想保護(hù)電路
? 高精度的保護(hù)電壓（過(guò)充/過(guò)放）檢測(cè)
? 高精度過(guò)電流充電/放電保護(hù)檢測(cè)
? 低供電電流
? 在低功耗模式,，不接充電器情況下,，可自動(dòng)恢復(fù)狀態(tài)
? 電池短路保護(hù)
? 可選擇多種型號(hào)的檢測(cè)電壓和延遲時(shí)間
? 縮短延遲時(shí)間測(cè)試功能
? 0V 電池充電功能
? 極少的外圍元器件
? 超小型化的 SOT23-6 封裝
應(yīng)用：
? 兩節(jié)鋰電池的充電、放電保護(hù)電路
? 電話(huà)機(jī)電池或其它兩節(jié)鋰電池高精度保護(hù)
聯(lián)系方式
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