隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,，對(duì)技術(shù)的要求越來越高,，特別是半導(dǎo)體圓片的表面質(zhì)量要求越來越嚴(yán)格，主要原因是圓片表面的粒子和金屬雜質(zhì)污染嚴(yán)重影響設(shè)備的質(zhì)量和成品率,，在現(xiàn)在的集成電路生產(chǎn)中,，圓片表面污染問題，還有50%以上的材料損失,。

在半導(dǎo)體生產(chǎn)過程中,，幾乎每個(gè)過程都需要清洗,，圓片清洗質(zhì)量對(duì)設(shè)備性能有嚴(yán)重影響。正因?yàn)閳A片清洗是半導(dǎo)體制造技術(shù)中**重要,、**頻繁的步驟,，其技術(shù)質(zhì)量直接影響設(shè)備的成品率、性能和可靠性,，國內(nèi)外各大公司,、研究機(jī)構(gòu)等對(duì)清洗技術(shù)的研究不斷進(jìn)行。等離子清洗作為一種的干式清洗技術(shù),，具有綠色環(huán)保等特點(diǎn),，隨著微電子行業(yè)的快速發(fā)展，等離子清洗機(jī)在半導(dǎo)體行業(yè)的應(yīng)用也越來越多,。

半導(dǎo)體污染雜質(zhì)及分類,。

半導(dǎo)體制造需要一些有機(jī)物和無機(jī)物參與完成。此外,，由于工藝總是由人們參與凈化室,，半導(dǎo)體圓片不可避免地會(huì)被各種雜質(zhì)污染。根據(jù)污染物的來源,、性質(zhì)等,，大致可分為粒子、有機(jī)物,、金屬離子和氧化物4種,。

顆粒。

粒子主要是聚合物,、光刻膠,、蝕刻雜質(zhì)等。這種污染物通常主要依靠范德瓦爾斯的吸引力吸附在圓片表面,，影響設(shè)備雕刻工序幾何圖形的形成和電學(xué)參數(shù),。這種污染物的去除方法主要用物理或化學(xué)方法切割粒子，逐漸減少與圓表面的接觸面積,，**終去除,。

有機(jī)物。

有機(jī)物雜質(zhì)的來源比較廣泛,，如人的皮膚油脂,、細(xì)菌,、機(jī)械油,、真空油、光刻膠,、清洗溶劑等,。這種污染物通常在圓形表面形成有機(jī)物薄膜,，阻止清洗液到達(dá)圓形表面，圓形表面清洗不,，清洗后金屬雜質(zhì)等污染物仍保留在圓形表面,。這種污染物的清除通常在清洗過程的**步進(jìn)行，主要用硫酸和過氧化氫水等方法進(jìn)行,。

金屬,。

半導(dǎo)體技術(shù)中常見的金屬雜質(zhì)有鐵、銅,、鋁,、鉻、鎢,、鈦,、鈉、鉀,、鋰等,，這些雜質(zhì)的來源主要有各種器皿、配管,、化學(xué)試劑,、半導(dǎo)體圓片加工中，在形成金屬連接的同時(shí),，也產(chǎn)生了各種金屬污染,。這種雜質(zhì)的去除通常采用化學(xué)方法，通過各種試劑和化學(xué)藥品制成的清洗液和金屬離子反應(yīng),，形成金屬離子的結(jié)合物,，脫離圓片表面。

氧化物,。

半導(dǎo)體圓片在含氧和水的環(huán)境下表面形成自然氧化層,。該氧化膜不僅妨礙了半導(dǎo)體制造的許多步驟，還包括金屬雜質(zhì),，在一定條件下轉(zhuǎn)移到圓片中形成電氣缺陷,。該氧化膜的去除通常用稀氫氟酸浸泡。

等離子清洗機(jī)在半導(dǎo)體晶圓清洗技術(shù)中的應(yīng)用等離子清洗技術(shù)簡單,，操作方便,，無廢棄物處理和環(huán)境污染等問題。但是,，它不能去除碳和其他非揮發(fā)性金屬或金屬氧化物,。等離子體清洗常用于光刻膠的去除技術(shù)，在等離子體反應(yīng)系統(tǒng)中加入少量氧氣，在強(qiáng)電場的作用下,，使氧氣產(chǎn)生等離子體,，使光刻膠迅速氧化成揮發(fā)性氣體狀態(tài)物質(zhì)。該清洗技術(shù)具有去膠技術(shù)操作方便,、效率高,、表面清潔、無損傷,、有利于確保產(chǎn)品質(zhì)量等優(yōu)點(diǎn),，不使用酸、堿,、有機(jī)溶劑等,，越來越受到重視。