隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,，對技術(shù)的要求越來越高，特別是半導(dǎo)體圓片的表面質(zhì)量要求越來越嚴格,，主要原因是圓片表面的粒子和金屬雜質(zhì)污染嚴重影響設(shè)備的質(zhì)量和成品率,，在現(xiàn)在的集成電路生產(chǎn)中，圓片表面污染問題,，還有50%以上的材料損失,。

在半導(dǎo)體生產(chǎn)過程中，幾乎每個過程都需要清洗,，圓片清洗質(zhì)量對設(shè)備性能有嚴重影響,。正因為圓片清洗是半導(dǎo)體制造技術(shù)中**重要、**頻繁的步驟,，其技術(shù)質(zhì)量直接影響設(shè)備的成品率,、性能和可靠性，國內(nèi)外各大公司,、研究機構(gòu)等對清洗技術(shù)的研究不斷進行,。等離子清洗作為一種的干式清洗技術(shù)，具有綠色環(huán)保等特點,，隨著微電子行業(yè)的快速發(fā)展,，等離子清洗機在半導(dǎo)體行業(yè)的應(yīng)用也越來越多。

半導(dǎo)體污染雜質(zhì)及分類,。

半導(dǎo)體制造需要一些有機物和無機物參與完成,。此外，由于工藝總是由人們參與凈化室,，半導(dǎo)體圓片不可避免地會被各種雜質(zhì)污染,。根據(jù)污染物的來源、性質(zhì)等,，大致可分為粒子,、有機物、金屬離子和氧化物4種,。

顆粒,。

粒子主要是聚合物、光刻膠,、蝕刻雜質(zhì)等,。這種污染物通常主要依靠范德瓦爾斯的吸引力吸附在圓片表面，影響設(shè)備雕刻工序幾何圖形的形成和電學(xué)參數(shù)。這種污染物的去除方法主要用物理或化學(xué)方法切割粒子,，逐漸減少與圓表面的接觸面積,，**終去除。

有機物,。

有機物雜質(zhì)的來源比較廣泛,，如人的皮膚油脂、細菌,、機械油,、真空油、光刻膠,、清洗溶劑等,。這種污染物通常在圓形表面形成有機物薄膜，阻止清洗液到達圓形表面,，圓形表面清洗不,，清洗后金屬雜質(zhì)等污染物仍保留在圓形表面。這種污染物的清除通常在清洗過程的**步進行,，主要用硫酸和過氧化氫水等方法進行,。

金屬。

半導(dǎo)體技術(shù)中常見的金屬雜質(zhì)有鐵,、銅,、鋁、鉻,、鎢,、鈦、鈉,、鉀,、鋰等，這些雜質(zhì)的來源主要有各種器皿,、配管,、化學(xué)試劑、半導(dǎo)體圓片加工中,，在形成金屬連接的同時，也產(chǎn)生了各種金屬污染,。這種雜質(zhì)的去除通常采用化學(xué)方法,，通過各種試劑和化學(xué)藥品制成的清洗液和金屬離子反應(yīng)，形成金屬離子的結(jié)合物,，脫離圓片表面,。

氧化物。

半導(dǎo)體圓片在含氧和水的環(huán)境下表面形成自然氧化層。該氧化膜不僅妨礙了半導(dǎo)體制造的許多步驟,，還包括金屬雜質(zhì),，在一定條件下轉(zhuǎn)移到圓片中形成電氣缺陷。該氧化膜的去除通常用稀氫氟酸浸泡,。

等離子清洗機在半導(dǎo)體晶圓清洗技術(shù)中的應(yīng)用等離子清洗技術(shù)簡單,，操作方便，無廢棄物處理和環(huán)境污染等問題,。但是,，它不能去除碳和其他非揮發(fā)性金屬或金屬氧化物。等離子體清洗常用于光刻膠的去除技術(shù),，在等離子體反應(yīng)系統(tǒng)中加入少量氧氣,，在強電場的作用下，使氧氣產(chǎn)生等離子體,，使光刻膠迅速氧化成揮發(fā)性氣體狀態(tài)物質(zhì),。該清洗技術(shù)具有去膠技術(shù)操作方便、效率高,、表面清潔,、無損傷、有利于確保產(chǎn)品質(zhì)量等優(yōu)點,，不使用酸,、堿、有機溶劑等,，越來越受到重視,。