AEC-Q100認證是什么
AEC-Q100對IC的可靠性測試可細分為加速環(huán)境應力可靠性,、加速壽命模擬可靠性,、封裝可靠性,、晶圓制程可靠性、電學參數驗證,、缺陷篩查,、包裝完整性試驗，且需要根據器件所能承受的溫度等級選擇測試條件,。需要注意的是,，第三方難以獨立完成AEC-Q100的驗證，需要晶圓供應商,、封測廠配合完成,，這更加考驗對認證試驗的整體把控能力。廣電計量將根據客戶的要求,，依據標準對客戶的IC進行評估,，出具合理的認證方案，從而助力IC的可靠性認證,。
如果成功完成根據本文件各要點需要的測試結果,，那么將允許供應商聲稱他們的零件通過了AEC Q100認證。供應商可以與客戶協(xié)商,，可以在樣品尺寸和條件的認證上比文件要求的要放寬些，但是只有完成要求實現(xiàn)的時候才能認為零件通過了AEC Q100認證,。
芯片可靠性驗證(RA)：
芯片級預處理(PC)&MSL試驗,、J-STD-020&JESD22-A113；
高溫存儲試驗(HTSL),JESD22-A103,；
溫度循環(huán)試驗(TC),JESD22-A104,；
溫濕度試驗(TH/THB),JESD22-A101；
高加速應力試驗(HTST/HAST),JESD22-A110,；
高溫老化壽命試驗(HTOL),JESD22-A108,；
芯片靜電測試(ESD)：
人體放電模式測試(HBM),JS001,；
元器件充放電模式測試(CDM),JS002；
閂鎖測試(LU),JESD78,；
芯片IC失效分析(FA)：
光學檢查(VI/OM),；
掃描電鏡檢查(FIB/SEM)
微光分析定位(EMMI/InGaAs)；
OBIRCH,；
Micro-probe;
聚焦離子束微觀分析(FIB)
彈坑試驗(cratering)
芯片開封(decap)
芯片去層(delayer)
晶格缺陷試驗(化學法)
PN結染色/碼染色試驗
推拉力測試(WBP/WBS)
紅墨水試驗
PCBA切片分析(X-section)
芯片材料分析：
高分辨TEM(形貌,、膜厚測量、電子衍射,、STEM,、HAADF)；
SEM(形貌觀察,、截面觀察,、膜厚測量、EBSD)
Raman(Raman光譜)
AFM(微觀表面形貌分析,、臺階測量)
AEC-Q100試驗后芯片失效分析項目：
形貌分析技術：體視顯微鏡,、金相顯微鏡、X射線透視,、聲學掃描顯微鏡,、掃描電鏡、透射電鏡,、聚焦離子束。
成分檢測技術：X射線能譜EDX,、俄歇能譜AES,、二次離子質譜SIMS、光譜,、色譜,、質譜
電分析技術：I-V曲線、半導體參數,、LCR參數,、集成電路參數、頻譜分析,、ESD參數,、電子探針、機械探針,、絕緣耐壓,、繼電器特性。
開封制樣技術：化學開封,、機械開封,、等離子刻蝕,、反應離子刻蝕、化學腐蝕,、切片,。
缺陷定位技術：液晶熱點、紅外熱像,、電壓襯度,、光發(fā)射顯微像、OBIRCH,。
AECQ100認證測試周期：
3-4個月,，提供全面的認證計劃、測試,、報告等服務,。
測試地點：
廣電計量廣州總部、廣電計量上海試驗室,。
廣州廣電計量檢測股份有限公司（GRGT）失效分析實驗室AEC-Q技術團隊,，執(zhí)行過大量的AEC-Q測試案例，積累了豐富的認證試驗經驗,，可為您提供更專業(yè),、更可靠的AEC-Q認證試驗服務。
AECQ100技術交流及業(yè)務咨詢：GRGT張工
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