芯片失效分析（FA測(cè)試）
芯片失效分析測(cè)試項(xiàng)目：
光學(xué)檢查(VI/OM),；
掃描電鏡檢查(FIB/SEM),；
微光分析定位(EMMI/InGaAs)；
OBIRCH,；
微探針測(cè)試(Micro-probe),；
聚焦離子束微觀分析(Dualbeam-FIB)；
彈坑試驗(yàn)(cratering),；
芯片開封(decap),；
芯片去層(delayer)；
晶格缺陷試驗(yàn)(化學(xué)法),；
PN結(jié)染色/碼染色試驗(yàn),；
推拉力測(cè)試(WBP/WBS)；
紅墨水試驗(yàn),；PCBA切片分析(X-section),；
GRGT目前具有以下芯片相關(guān)測(cè)試能力及技術(shù)服務(wù)能力：
芯片可靠性驗(yàn)證(RA)：
芯片級(jí)預(yù)處理(PC)&MSL試驗(yàn)、J-STD-020&JESD22-A113,；
高溫存儲(chǔ)試驗(yàn)(HTSL),JESD22-A103,；
溫度循環(huán)試驗(yàn)(TC),JESD22-A104；
溫濕度試驗(yàn)(TH/THB),JESD22-A101,；
高加速應(yīng)力試驗(yàn)(HTSL/HAST),JESD22-A110,；
高溫老化壽命試驗(yàn)(HTOL),JESD22-A108；
芯片靜電測(cè)試(ESD)：
人體放電模式測(cè)試(HBM),JS001,；
元器件充放電模式測(cè)試(CDM),JS002,；
閂鎖測(cè)試(LU),JESD78；
TLP,；Surge/EOS/EFT,；
芯片材料分析：
高分辨TEM(形貌、膜厚測(cè)量,、電子衍射,、STEM、HAADF),；
SEM(形貌觀察,、截面觀察、膜厚測(cè)量、EBSD),；
Raman(Raman光譜),；AFM(微觀表面形貌分析、臺(tái)階測(cè)量),；
廣州廣電計(jì)量檢測(cè)股份有限公司（GRGT）失效分析實(shí)驗(yàn)室AEC-Q技術(shù)團(tuán)隊(duì),，執(zhí)行過(guò)大量的AEC-Q測(cè)試案例，積累了豐富的認(rèn)證試驗(yàn)經(jīng)驗(yàn),，可為您提供更專業(yè),、更可靠的AEC-Q認(rèn)證試驗(yàn)服務(wù)。
芯片測(cè)試地點(diǎn)：廣電計(jì)量-廣州總部試驗(yàn)室,、廣電計(jì)量-上海浦東試驗(yàn)室,。
芯片測(cè)試業(yè)務(wù)咨詢及技術(shù)交流：
GRGT張工186-2090+8348；
zhanghp grgtest.com