芯片高溫老化壽命試驗（HTOL）
高溫老化壽命試驗(HTOL)
參考標(biāo)準：JESD22-A108,；
測試條件：
For devices containing NVM,endurance preconditioning must be performed before H**00-005.
Grade 0:+150℃Ta for 1000 hours.
Grade 1:+125℃Ta for 1000 hours.
Grade 2:+105℃Ta for 1000 hours.
Grade 3:+85℃Ta for 1000 hours.
Vcc(max)at which dc and ac parametric are guaranteed.Thermal shut-down shall not occur during this test.
TEST before and after HTOL at room,hot,and cold temperature.
廣州廣電計量檢測股份有限公司（GRGT）是原信息產(chǎn)業(yè)部電子602計量站，經(jīng)過50余年的發(fā)展,，現(xiàn)已成為一家全國化,、綜合性的國有第三方計量檢測機構(gòu),，專注于為客戶提供計量、檢測,、認證以及技術(shù)咨詢與培訓(xùn)等專業(yè)技術(shù)服務(wù),，在計量校準、可靠性與環(huán)境試驗,、元器件篩選與失效分析檢測,、車規(guī)元器件認證測試、電磁兼容檢測等多個領(lǐng)域的技術(shù)能力及業(yè)務(wù)規(guī)模處于國內(nèi)*水平,。
GRGT目前具有以下芯片相關(guān)測試能力及技術(shù)服務(wù)能力：
芯片可靠性驗證(RA)：
芯片級預(yù)處理(PC)&MSL試驗,、J-STD-020&JESD22-A113；
高溫存儲試驗(HTSL),JESD22-A103,；
溫度循環(huán)試驗(TC),JESD22-A104,；
溫濕度試驗(TH/THB),JESD22-A101,；
高加速應(yīng)力試驗(HTSL/HAST),JESD22-A110,；
高溫老化壽命試驗(HTOL),JESD22-A108；
芯片靜電測試(ESD)：
人體放電模式測試(HBM),JS001,；
元器件充放電模式測試(CDM),JS002,；
閂鎖測試(LU),JESD78；
TLP,；Surge/EOS/EFT,；
芯片IC失效分析(FA)：
光學(xué)檢查(VI/OM)；
掃描電鏡檢查(FIB/SEM)
微光分析定位(EMMI/InGaAs),；
OBIRCH,；Micro-probe;
聚焦離子束微觀分析(FIB)；
廣州廣電計量檢測股份有限公司（GRGT）失效分析實驗室AEC-Q技術(shù)團隊,，執(zhí)行過大量的AEC-Q測試案例,，積累了豐富的認證試驗經(jīng)驗，可為您提供更專業(yè),、更可靠的AEC-Q認證試驗服務(wù),。
GRGT團隊技術(shù)能力：
集成電路失效分析、芯片良率提升,、封裝工藝管控
集成電路競品分析,、工藝分析
芯片級失效分析方案turnkey
芯片級靜電防護測試方案制定與平臺實驗設(shè)計
靜電防護失效整改技術(shù)建議
集成電路可靠性驗證
材料分析技術(shù)支持與方案制定
半導(dǎo)體材料分析手法
芯片測試地點：廣電計量-廣州總部試驗室、廣電計量-上海浦東試驗室,。
芯片高溫老化壽命試驗：
GRGT張經(jīng)理186-2090+8348,；
zhanghp grgtest.com