碳化硅（SiC）緣何成為第三代半導(dǎo)體**重要的材料？

在半導(dǎo)體技術(shù)中,，需要**純度的細晶粒石墨,，而SiC 單晶的生長通常涉及在超過 2400 °C 的極高溫度下的某種物理蒸汽傳輸機制。

多孔石墨作為晶體生長過程中關(guān)鍵的材料,，同時,，需要**純度和**精度。我司可依據(jù)客戶不同的型號要求定制,，滿足客戶的不同需求,。