|
|
碳化硅(SiC)緣何成為第三代半導(dǎo)體**重要的材料,?
在MOCVD反應(yīng)設(shè)備的外延工藝中,,襯底晶片由轉(zhuǎn)動(dòng)的石墨盤(pán)基座或載盤(pán)進(jìn)行支撐,石墨盤(pán)基座的材料性能具有關(guān)鍵影響,,進(jìn)而也影響著廢品率,。
弘竣新材料采用德國(guó)SGL高純度等靜壓石墨,為石墨盤(pán)基座和載盤(pán)精心挑選合適的石墨等級(jí),,高精密度的加工確保載盤(pán)坑內(nèi)具有均勻是的形貌和**小的平整度偏差,**產(chǎn)品的質(zhì)量,。可依據(jù)客戶(hù)不同的需求規(guī)格加工定制,。
|