TDK貼片電容容量與誤差：實(shí)際電容量和標(biāo)稱電容量允許的大偏差范圍,。一般

分為3級：i級±5%,，ii級±10%,，iii級±20%,。在有些情況下,，還有0級,，誤差為

±20%,。

不同品種的貼片電容,，高使用頻率不同,。小型云母貼片電容在250mhz以內(nèi),；

圓片型瓷介貼片電容為300mhz；圓管型瓷介貼片電容為200mhz,；圓盤型瓷介可

達(dá)3000mhz,；小型紙介貼片電容為80mhz,；中型紙介貼片電容只有8mhz。

長期合作客戶給予賬期價格全力支持 我司代理產(chǎn)品統(tǒng)一原裝原廠生產(chǎn)產(chǎn)品

C0G (EIA code) 或者叫 NP0 (產(chǎn)業(yè)習(xí)慣稱呼) 所用的材料一般收到溫度影響比較小

（Negative-Positive zero）,，溫度系數(shù)在0±30ppm/℃以內(nèi),，電容值隨頻率和電壓變

化小于±0.05%。正因?yàn)镃0G/NP0 所用的電介質(zhì)lose比較小,所以呢,，多會用在濾波器,，

時鐘電路，還有晶振匹配電路中,；高頻特性較好,，高可用到G bit級的電路中。但是這

類電容容值比有限,，一般<10nF.

其它常用的一類電介質(zhì)材料：P350, N1000/M3K.

以下是我公司TDK高壓貼片電容部分型號現(xiàn)貨：

C2012X5R1E335M08**C

C2012X5R1E335M12**B

C2012X5R1E475K08**C

C2012X5R1E475K12**B

C2012X5R1E475M08**C

C2012X5R1E475M12**B

C2012X5R1E685K12**C

C2012X5R1E685M12**C

C2012X5R1E106K08**C

C2012X5R1E106K12**B

C2012X5R1E106M08**C

C2012X5R1E106M12**B

C2012X5R1H155K12**B

C2012X5R1H155M12**B

C2012X5R1H225K08**B

C2012X5R1H225K12**B

C2012X5R1H225M08**B

C2012X5R1H225M12**B

C2012X5R1H335K12**B

C2012X5R1H335M12**B

C2012X5R1H475K12**B

C2012X5R1H475M12**B

C2012X5R1V105K08**B

C2012X5R1V105M08**B

C2012X5R1V155K12**B

C2012X5R1V155M12**B

C2012X5R1V225K08**B

C2012X5R1V225K12**B

C2012X5R1V225M08**B

C2012X5R1V225M12**B

C2012X5R1V335K12**C

C2012X5R1V335M12**C

C2012X5R1V475K12**C

C2012X5R1V475M12**C

C2012X5R1V685K12**C

C2012X5R1V685M12**C

C2012X5R1V106K08**C

C2012X5R1V106K12**C

C2012X5R1V106M08**C

C2012X5R1V106M12**C

C2012X5R1V156M12**C

C2012X5R1V226M12**C

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