四探針雙電電阻率測(cè)試儀電導(dǎo)率：5×10-6～1×108ms/cm
電位差計(jì)和電流計(jì)或數(shù)字電壓表,，量程為1mV~100mV,，分辨率為0.1%，直流輸入阻抗不小
范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用直排四探針測(cè)量硅外延層,、擴(kuò)散層和離子注入層薄層電阻的方法,。
干擾因素探什材料和形狀及其和硅片表面接觸是否滿(mǎn)足點(diǎn)電流源注人條件會(huì)影響測(cè)試精度。 
恒意源,，按表1的推薦值提供試樣所需的電流,，精度為±0.5%.
GB/T 11073 硅片徑向電阻率變化的測(cè)量方法提要
標(biāo)準(zhǔn)電阻;按表2的薄層電阻范圍選取所需的標(biāo)準(zhǔn)電，精度0.05 級(jí)
樣品臺(tái)和操針架樣品臺(tái)和探針架應(yīng)符合 GB/T152 中的規(guī)定,。 樣品臺(tái)上應(yīng)具有旋轉(zhuǎn) 360"的裝置,。其誤差不大于士5"，測(cè)量裝置測(cè)量裝置的典型電路叉圖1,，
測(cè)量精度±（0.1%讀數(shù)）
250 μm 的半球形或半徑為 50 μm~125 μm 的平的圓截面,。
電阻：1×10-5～2×105Ω
光照、高頻,、需動(dòng),、強(qiáng)電磁場(chǎng)及溫醒度等測(cè)試環(huán)境會(huì)影響測(cè)試結(jié)果，
本儀器配置各類(lèi)測(cè)量裝置可以測(cè)試不同材料之電導(dǎo)率,。液晶顯示,，無(wú)需人工計(jì)算，并帶有溫度補(bǔ)償功能,，電導(dǎo)率單位自動(dòng)選擇,，BEST-300C 材料電導(dǎo)率測(cè)試儀自動(dòng)測(cè)量并根據(jù)測(cè)試結(jié)果自動(dòng)轉(zhuǎn)換量程,，無(wú)需人工多次和重復(fù)設(shè)置。選配：配備軟件可以由電腦操控,，并保存和打印數(shù)據(jù),，自動(dòng)生成圖表和報(bào)表。

GB/T 6617-1995 硅片電阻率測(cè)定 擴(kuò)展電阻探針?lè)?br /> 電流輸出：直流電流?0～1000mA?連續(xù)可調(diào),，由交流電源供電,。
量程：1μA，10μA,，100μA,，1mA，10mA,，1000mA,?

下列文件中的條款通過(guò)本標(biāo)準(zhǔn)的引用商成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件,，其隨后所有的修改單（不包括勘誤的內(nèi)容）或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn),，然而，鼓勵(lì)根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究是否可使用這些文件的**版本,。凡是不注日期的引用文件,，其**版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。 GB/T 1552 硅,、儲(chǔ)單晶電阻率測(cè)定 直排四探針?lè)?br /> 甲醇,，99.5%。 干燥氮?dú)?。測(cè)量?jī)x器探針系統(tǒng)操針為具有45"～150°角的圓罐形破化鴨振針,，針實(shí)半徑分別為35 μm~100μm.100 μm~
分辨率：  0.1uV  1uV  10uV  100uV
適用范圍四端測(cè)試法是目前較**之測(cè)試方法，主要針對(duì)高精度要求之產(chǎn)品測(cè)試,；本儀器廣泛用于生產(chǎn)企業(yè),、高等院校、科研部門(mén),，是檢驗(yàn)和分析導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體材料質(zhì)量的一種重要的工具,。
在中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)分類(lèi)中，四探針?lè)ㄉ婕暗桨虢饘倥c半導(dǎo)體材料綜合,、金屬物理性能試驗(yàn)方法,、、,、電工合金零件,、特種陶瓷、質(zhì)譜儀,、液譜儀,、能譜儀及其聯(lián)用裝置,、電阻器、半導(dǎo)體集成電路,、工程地質(zhì),、水文地質(zhì)勘察與巖土工程、水環(huán)境有毒害物質(zhì)分析方法,、電工材料和通用零件綜合,、半金屬、元素半導(dǎo)體材料,、金屬無(wú)損檢驗(yàn)方法,。
探針（帶有彈簧及外引線(xiàn)）之間或探針系統(tǒng)其他部分之間的絕緣電照至少為10°Ω. 探針排列和間距，四探針應(yīng)以等距離直線(xiàn)排列,，探針閥距及針突狀況應(yīng)符合 GB/T 552中的規(guī)定,。
試劑氫氰酸，優(yōu)級(jí)純,，純水,，25 ℃時(shí)電阻率大于 2 MN·cm。 
電阻測(cè)量范圍：
國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)分類(lèi)中,，四探針?lè)ㄉ婕暗桨雽?dǎo)體材料,、金屬材料試驗(yàn)、絕緣流體,、獸醫(yī)學(xué),、復(fù)合增強(qiáng)材料、電工器件,、無(wú)損檢測(cè),、集成電路、微電子學(xué),、土質(zhì),、土壤學(xué)、水質(zhì),、電子顯示器件,、有色金屬。
電源：220±10% 50HZ/60HZ 
測(cè)量電壓量程：?2mV?  20mV? 200mV?2V?
測(cè)量誤差±5%
標(biāo)配：測(cè)試平臺(tái)一套,、主機(jī)一套,、電源線(xiàn)數(shù)據(jù)線(xiàn)一套。
電流換向開(kāi)關(guān)
主機(jī)外形尺寸：330mm*340mm*120mm
電壓表輸入阻抗會(huì)引入測(cè)試誤差,。 硅片幾何形狀,，表面粘污等會(huì)影響測(cè)試結(jié)果。
提供中文或英文兩種語(yǔ)言操作界面選擇,，滿(mǎn)足國(guó)內(nèi)及國(guó)外客戶(hù)需求
使用直排四探針測(cè)量裝置,、使直流電流通過(guò)試樣上兩外探件,，測(cè)量?jī)蓛?nèi)操針之間的電位差，引人與試樣幾何形軟有關(guān)的修正因子,，計(jì)算出薄層電阻,。
雙刀雙撐電位選擇開(kāi)關(guān)。
GB/T 1552-1995 硅,、鍺單晶電阻率測(cè)定直排四探針?lè)?br /> GB/T 6617-2009 硅片電阻率測(cè)定 擴(kuò)展電阻探針?lè)?br /> 顯示方式：液晶顯示
電阻率： 1×10-6～2×106Ω.cm,、
探針與試樣壓力分為小于0.3 N及0.3 N~0.8N兩種。
GB/T 1551-1995 硅,、鍺單晶電阻率測(cè)定 直流兩探針?lè)?br /> GB/T 14141-2009 硅外延層,、擴(kuò)散層和離子注入層薄層電阻的測(cè)定.直排四探針?lè)?br /> 分辨率：  **小1μΩ
誤差：±0.2%讀數(shù)±2字
本儀器采用4.3吋大液晶屏幕顯示，同時(shí)顯示電阻值,、電阻率,、方阻、電導(dǎo)率值,、溫度,、壓強(qiáng)值、單位自動(dòng)換算,，配置不同的測(cè)試治具可以滿(mǎn)足不同材料的測(cè)試要求。測(cè)試治具可以根據(jù)產(chǎn)品及測(cè)試項(xiàng)目要求選購(gòu).
本標(biāo)準(zhǔn)適用于測(cè)量直徑大于15.9mm的由外延,、擴(kuò)散,、離子注人到硅片表面上或表面下形成的薄層的平均薄層電阻。硅片基體導(dǎo)電類(lèi)型與被測(cè)薄層相反,。適用于測(cè)量厚度不小于0.2 μm的薄層,，方塊電阻的測(cè)量范圍為10A~5000n.該方法也可適用于更高或更低照值方塊電阻的測(cè)量，但其測(cè)量**度尚未評(píng)估,。
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