|
|
|||||||||||||||||
詳細(xì)介紹
關(guān)于光氧催化廢氣凈化器產(chǎn)品,，還有一部分人不了解，諾和環(huán)保給大家講一下,，跟隨諾和環(huán)保來學(xué)習(xí)一下吧,。
（1）光催化氧化工藝簡介
光化學(xué)和光催化氧化法是目前研究較多的一種_氧化技術(shù)。光催化反應(yīng)即在光的作用下進(jìn)行的化學(xué)反應(yīng),。分子吸收特定波長的電磁輻射后,，是分子達(dá)到激發(fā)態(tài)，然后發(fā)生化學(xué)反應(yīng),，產(chǎn)生新的物質(zhì),，或成為熱反應(yīng)的引發(fā)劑。
（2）光催化氧化工藝原理及流程
Ti02作為一種半導(dǎo)體材料其自身的光電特性決定了它可以用作光催化劑,。半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)通常是一個電子填充低能量價帶（VB）和一個空的高能量的導(dǎo)帶（CB）,，導(dǎo)帶和價帶之間的區(qū)域被稱為禁帶。
當(dāng)照射半導(dǎo)體的光能量等于或大于禁帶寬度時,，其價帶電子被激發(fā),，跨過禁帶進(jìn)入導(dǎo)帶，并在價帶中產(chǎn)生相應(yīng)空穴,。電子從價帶激發(fā)到導(dǎo)帶,，激發(fā)后分離的電子和空穴都有一部分進(jìn)一步進(jìn)行反應(yīng)。
（3）光催化氧化工藝的影響因素
研究表明,，反應(yīng)物初始濃度對光催化效率或降解速率有明顯的影響,。光催化效率隨著初始濃度增加而波動,，存在明顯的濃度轉(zhuǎn)變點,；低濃度目標(biāo)物的光催化降解效率大于高濃度目標(biāo)物的光催化降解效率,。
濕度對光催化反應(yīng)的影響尚無**性結(jié)論。對于不同化合物或者不同濃度等實驗條件,，存在很大的差別,。
（4）光催化氧化工藝優(yōu)缺點
優(yōu)點：
處理效率高，運行費用低,，適用于低濃度廣范圍的 VOCs特別對芳烴的去除效率高,；
缺點：
對高濃度 VOCs 處理效率一般；主要還停留在實驗室階段,，缺乏實際應(yīng)用,。
更多光氧催化廢氣凈化器產(chǎn)品瀏覽：http://www.btnhhb.cn/gych/gychfqjhq.html
（1）光催化氧化工藝簡介
光化學(xué)和光催化氧化法是目前研究較多的一種_氧化技術(shù)。光催化反應(yīng)即在光的作用下進(jìn)行的化學(xué)反應(yīng),。分子吸收特定波長的電磁輻射后,，是分子達(dá)到激發(fā)態(tài)，然后發(fā)生化學(xué)反應(yīng),，產(chǎn)生新的物質(zhì),，或成為熱反應(yīng)的引發(fā)劑。
（2）光催化氧化工藝原理及流程
Ti02作為一種半導(dǎo)體材料其自身的光電特性決定了它可以用作光催化劑,。半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)通常是一個電子填充低能量價帶（VB）和一個空的高能量的導(dǎo)帶（CB）,，導(dǎo)帶和價帶之間的區(qū)域被稱為禁帶。
當(dāng)照射半導(dǎo)體的光能量等于或大于禁帶寬度時,，其價帶電子被激發(fā),，跨過禁帶進(jìn)入導(dǎo)帶，并在價帶中產(chǎn)生相應(yīng)空穴,。電子從價帶激發(fā)到導(dǎo)帶,，激發(fā)后分離的電子和空穴都有一部分進(jìn)一步進(jìn)行反應(yīng)。
（3）光催化氧化工藝的影響因素
研究表明,，反應(yīng)物初始濃度對光催化效率或降解速率有明顯的影響,。光催化效率隨著初始濃度增加而波動,，存在明顯的濃度轉(zhuǎn)變點,；低濃度目標(biāo)物的光催化降解效率大于高濃度目標(biāo)物的光催化降解效率,。
濕度對光催化反應(yīng)的影響尚無**性結(jié)論。對于不同化合物或者不同濃度等實驗條件,，存在很大的差別,。
（4）光催化氧化工藝優(yōu)缺點
優(yōu)點：
處理效率高，運行費用低,，適用于低濃度廣范圍的 VOCs特別對芳烴的去除效率高,；
缺點：
對高濃度 VOCs 處理效率一般；主要還停留在實驗室階段,，缺乏實際應(yīng)用,。
更多光氧催化廢氣凈化器產(chǎn)品瀏覽：http://www.btnhhb.cn/gych/gychfqjhq.html
聯(lián)系方式
|
